SAPS兆声波清洗设备

应用于集成电路先进技术节点的平面和图形晶圆

盛美特有专利技术(中国发明专利;专利号:ZL 2009 1 0050834.2)——半导体衬底的清洗方法和装置（SAPS），通过控制兆声波清洗装置与晶圆的间距随兆声波相位的变化，来实现兆声波在晶圆表面的均匀分布，以达到最优化的清洗效果。

空间交变相位移晶圆清洗应用领域

• 深沟道清洗

• CMP 后清洗

• Hard Mask 沉积后清洗

• Contact/Via 刻蚀后清洗

• Barrier Metal沉积前清洗

• 晶圆回收清洗

• EPI沉积前清洗

• ALD沉积前清洗

特性和规格（Ultra C SAPS II）

最多可配至8个腔体，产能225WPH

双面清洗，最多可配5种清洗药液, 如. DHF SC1, SC2, DIO3, BOE, Solvent, HF/HNO3…

最多可回收两种药液

集成式药液供给模块

设备体积小：2.35m x 5.53m x 2.85m （宽x长x高）

具有所有Ultra C SAPS II设备的功能

最多可配至12个腔体, 产能375 WPH

集成式化学药液供给模块

可配高温IPA干燥的技术