盛美上海等离子体增强原子层沉积炉管设备通过初步验证，原子层沉积炉管产品进一步强化

2024-12-11 8:00:00

盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商，今日宣布，其2024年推出的Ultra Fn A等离子增强型原子层沉积炉管设备（PEALD）已初步通过中国大陆一家半导体客户的工艺验证，正在进行最后优化和为迈入量产做准备。

盛美上海还宣布，其于2022年推出的Ultra Fn A热原子层沉积炉设备（Thermal ALD）也已成功通过另一家领先的中国大陆客户的工艺验证，性能参数比肩同类国际竞品，甚至更胜一筹。

盛美上海董事长王晖博士表示：“现代集成电路（IC）的制造过程，越来越依赖具有卓越阶梯覆盖率以及高质量的精准薄膜沉积技术。应对诸如氮化碳硅、氮化硅薄膜和高低介电常数薄膜等沉积材料所带来的复杂挑战，需要真正的创新，而盛美上海的研发团队凭借其先进的原子层沉积（ALD）平台和工艺已逐步接近和完成这一目标。我们相信，盛美上海的专有差异化设计方案能够解决先进三维结构制造中面临的难题。”

盛美上海的Ultra Fn A ALD立式炉设备产品包括热原子层沉积（热ALD）和等离子体增强原子层沉积（PEALD）两种配置，可执行硬掩模层、阻挡层、间隔层、侧壁保护层、介质填充等多种薄膜沉积任务，满足目标工艺应用的各种需求。这两种配置均采用六单元系统，可批量处理多达100片300mm晶圆。该设备还包括四个装载端口系统（装载区可控制氧气浓度）、一个集成供气系统（IGS）和一个原位干法清洗系统，所有设计均符合SEMI标准。

盛美上海的Ultra Fn A PEALD设备当前应用沉积氮化硅 (SiN) 薄膜。该机具采用双层管设计以及气流平衡技术，能够显著提升晶圆内（WIW）和晶圆间（WTW）的均匀性。通过采用等离子增强技术，该设备还可有效降低器件的热预算。此外，通过微调前驱体在前置单元中的存储和释放量，能够达成控制器件的关键尺寸和图案轮廓。

盛美上海的Ultra Fn A碳氮化硅（SiCN）热模式原子层沉积炉管设备已通过国内领先的集成电路制造客户的验证。该设备能够实现超薄、无空隙的薄膜沉积，并且能够精确控制薄膜厚度，达到原子级别的沉积精度。同时，该设备还能够实现精确的碳掺杂，从而提升薄膜的硬度和耐腐蚀性。此外，该设备还具有内置的干法清洁功能，能够确保颗粒的稳定性。

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